Samsung demuestra el chip MBCFET de 3nm: utiliza una estructura de nanochip para hacer transistores

[adinserter block=»1″] Samsung Electronics y TSMC están planeando actualmente desarrollar investigación y desarrollo de tecnología de procesos de 3 nm. Según los informes, en la IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), los ingenieros de Samsung compartieron los detalles de fabricación del próximo GAE de 3 nm. MBCFET chip. Los transistores GAAFET (transistores de efecto de … Leer más

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